Darlingtonovo zapojení

Darlingtonovo zapojení je zapojení dvou bipolárních tranzistorů, které se chová jako jeden složený bipolární tranzistor. Vyznačuje se velkým proudovým zesílením, přibližně rovným součinu zesílení obou tranzistorů. Toho využívají například koncové stupně zesilovačů. Nevýhodou tohoto zapojení je přibližně dvojnásobné napětí mezi bází a emitorem složeného tranzistoru, protože je součtem bázových napětí obou tranzistorů.[1][2] Podobné Sziklaiovo zapojení touto nevýhodou netrpí.

Popis zapojení

Darlingtonovo zapojení se skládá ze dvou bipolárních tranzistorů stejné polarity, tedy dvou NPN nebo dvou PNP, které se dohromady chovají jako jeden složený bipolární tranzistor. Báze tranzistoru Q1 je bází složeného tranzistoru. Emitor tranzistoru Q1 je spojen s bází tranzistoru Q2. Kolektory obou tranzistorů jsou spojeny a tvoří kolektor složeného tranzistoru. Emitor tranzistoru Q2 je emitorem složeného tranzistoru.[1][2]

Proudové zesílení

Proudové zesílení Darlingtonova zapojení je dáno proudovými zesíleními a tranzistorů Q1 a Q2:

Odvození:

Odkazy

Reference

  1. a b MALÍK, Luděk. Optimalizace napěťového zesilovače. Brno, 2020 [cit. 2022-05-12]. Bakalářská práce. Vysoké učení technické v Brně - Fakulta elektrotechnická. Vedoucí práce Ing. Soňa Šedivá, Ph.D.. Dostupné online. [nedostupný zdroj]
  2. a b HOSPODKA, Jiří. Darlingtonovo zapojení [online]. Fakulta elektrotechnická ČVUT [cit. 2022-05-12]. Dostupné online. 

Externí odkazy